型号: CRG15T120BNR3S
　　类型: SiC MOSFET
　　最大漏极电压 (VDS): 1200V
　　最大漏极电流 (ID): 15A
　　导通电阻 (RDS(on)): 0.15Ω
　　工作温度范围: -55°C ~ 175°C
　　封装类型: TO-247-3L
　　栅极电荷 (Qg): 22nC
　　输入电容 (Ciss): 680pF
　　短路耐受能力: 10μs @ 175°C

CRG15T120BNR3S 是一款高性能的碳化硅MOSFET，具备多项先进特性。首先，其最大漏极电压可达1200V，最大漏极电流为15A，适用于中高功率系统设计。导通电阻（RDS(on)）仅为0.15Ω，有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，工作温度范围从-55°C到175°C，适应各种严苛环境条件。
　　CRG15T120BNR3S 的栅极电荷（Qg）为22nC，输入电容（Ciss）为680pF，这使得其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗。其短路耐受能力为10μs @ 175°C，表明在极端工作条件下仍能保持稳定运行，提升了系统的可靠性和安全性。
　　该器件采用TO-247-3L封装，便于与现有系统集成，并支持高功率密度设计。碳化硅材料的使用赋予其更高的击穿电场强度、更高的热导率以及更低的开关损耗，相较于传统的硅基MOSFET，CRG15T120BNR3S 在高频、高效率应用中具有明显优势。

CRG15T120BNR3S 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、储能系统以及工业电源设备。其高频开关能力使其特别适合用于需要高转换效率和低导通损耗的拓扑结构，例如LLC谐振转换器、相移全桥（PSFB）转换器等。此外，该器件还可用于电机驱动和不间断电源（UPS）系统中，提供更稳定的性能和更高的系统效率。

C2M0160120D (Wolfspeed), SCT3045KL (ROHM), SiC MOSFET 1200V 16A (Infineon CoolSiC系列)