时间：2025/5/8 17:33:04
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DMN3112S-7是来自Diodes Incorporated的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的DFN2020-8封装，专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。DMN3112S-7在低电压驱动条件下表现出优异的性能，非常适合便携式设备、电源管理电路以及负载开关等应用。
该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗并提高系统效率。此外，其具备较高的栅极阈值电压，确保了稳定的运行特性，并且易于与标准逻辑电平兼容。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.065Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3.5nC
总功耗：340mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提升效率。
2. 小型化DFN2020-8封装，适合空间受限的设计。
3. 栅极阈值电压较高，稳定性好，适用于电池供电设备。
4. 高速开关能力，支持高频电源转换应用。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 电池供电产品中的电源通断控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 消费类电子产品中的保护电路和信号切换。
6. USB接口保护及限流功能实现。
DMN3029L-7, BSS138, AO3400
