时间：2025/9/1 14:05:12
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HY5MS7B6LFP-SE 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的低功耗、高性能的移动型动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片，常用于移动设备、嵌入式系统以及需要高内存带宽的应用中。该型号属于 LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）规格，具备高速传输能力及节能特性。
容量：6Gb
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：186-ball BGA
工作电压：1.1V / 2.5V
时钟频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
数据宽度：x16
封装尺寸：9.0mm x 11.5mm
温度范围：-40°C ~ +85°C
HY5MS7B6LFP-SE 是一款专为高性能低功耗应用设计的 LPDDR4 内存芯片，采用了先进的 CMOS 技术和双倍数据速率架构，能够在每个时钟周期内传输两次数据（上升沿和下降沿），从而显著提高数据传输效率。该器件支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式，非常适合电池供电设备如智能手机、平板电脑和便携式游戏设备使用。
此外，该芯片具备出色的稳定性和抗干扰能力，在高频工作状态下依然保持较低的功耗。其内部采用差分时钟和数据选通技术，增强了信号完整性和同步性能，从而保证在高速数据传输过程中的可靠性。HY5MS7B6LFP-SE 还支持命令与地址的奇偶校验功能，有助于提高系统的稳定性与容错能力。
该器件的封装为 186-ball BGA，适合高密度 PCB 布局，并具备良好的热管理性能。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于多种工业环境。其标准 JEDEC 兼容设计也便于系统集成和兼容性设计。
HY5MS7B6LFP-SE 主要用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动设备中，作为主内存使用。此外，它也广泛应用于嵌入式系统、车载信息娱乐系统、工业控制设备、智能电视、以及需要高性能低功耗内存的嵌入式平台。该芯片的高带宽与低功耗特性使其成为对能效和性能都有较高要求的便携式电子产品的理想选择。
MT53B64M16A2B4-6A, K4FAB645BF-SC00
