时间：2025/5/8 1:09:36
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ZXMC3A16DN8 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工艺制造的静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有高速读写能力，适合需要快速数据访问和处理的应用场景。其封装形式为符合行业标准的小型化封装，能够有效节省 PCB 空间。
该器件采用单电源供电设计，简化了系统设计复杂度，并且具备出色的抗干扰能力，能够在广泛的工业和商业应用中提供可靠的性能。
容量：512K x 8 bits
工作电压：2.5V 至 3.6V
工作电流：最大 30mA
待机电流：小于 1μA
访问时间：最高 10ns
数据保持时间：无限期（在规定条件下）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSSOP-48
ZXMC3A16DN8 具有以下显著特性：
1. 高速操作能力，支持高达 100MHz 的时钟频率。
2. 低功耗设计，非常适合对功耗敏感的应用环境。
3. 数据稳定可靠，无须刷新机制即可长期保存数据。
4. 支持全同步操作模式，便于与各种微处理器接口连接。
5. 内置强大的数据保护功能，在掉电情况下确保数据完整性。
6. 封装紧凑，引脚布局合理，方便进行高密度布板设计。
7. 提供全面的电气保护措施，如过压保护和静电放电防护（ESD）。
ZXMC3A16DN8 广泛应用于各类需要高性能 SRAM 的设备中，包括但不限于：
1. 工业自动化控制设备中的缓存模块。
2. 医疗设备中的临时数据存储单元。
3. 通信设备中的高速缓冲区。
4. 图形处理单元（GPU）或数字信号处理器（DSP）的外部扩展存储。
5. 嵌入式系统的程序运行内存区域。
6. 测试测量仪器中的实时数据记录装置。
其出色的性能和可靠性使得该芯片成为许多高端应用的理想选择。
IS61LV25616, AS6C1008, CY62256
