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GA1210H823JBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 19:35:09 查看 阅读:4

GA1210H823JBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  这款器件支持高频操作,并能够在严苛的工作环境下保持稳定性能,非常适合需要高效能量转换的应用场景。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-247
  Vds(漏源极电压):1200V
  Rds(on)(导通电阻):30mΩ
  Id(连续漏极电流):31A
  Qg(栅极电荷):95nC
  Ciss(输入电容):3020pF
  Bvdss(击穿电压):1200V
  Tj(结温范围):-55℃ to 175℃

特性

GA1210H823JBAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
  2. 高耐压能力,最高支持 1200V 漏源极电压,适用于高压应用环境。
  3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷 (Qg),可以实现高频工作。
  4. 出色的热性能设计,确保在高功率应用场景中的长期稳定性。
  5. 具备强大的抗浪涌能力和鲁棒性,能够在恶劣条件下正常运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合各种工业需求。

应用

该芯片广泛用于多种电力电子设备中,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 太阳能逆变器
  3. 工业电机驱动
  4. 电动车辆控制器
  5. 不间断电源(UPS)
  6. LED 驱动电路
  7. 各类高频功率转换器

GA1210H823JBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-