GA1210H823JBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。
这款器件支持高频操作,并能够在严苛的工作环境下保持稳定性能,非常适合需要高效能量转换的应用场景。
类型:MOSFET
封装:TO-247
Vds(漏源极电压):1200V
Rds(on)(导通电阻):30mΩ
Id(连续漏极电流):31A
Qg(栅极电荷):95nC
Ciss(输入电容):3020pF
Bvdss(击穿电压):1200V
Tj(结温范围):-55℃ to 175℃
GA1210H823JBAAR31G 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高耐压能力,最高支持 1200V 漏源极电压,适用于高压应用环境。
3. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷 (Qg),可以实现高频工作。
4. 出色的热性能设计,确保在高功率应用场景中的长期稳定性。
5. 具备强大的抗浪涌能力和鲁棒性,能够在恶劣条件下正常运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合各种工业需求。
该芯片广泛用于多种电力电子设备中,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 太阳能逆变器
3. 工业电机驱动
4. 电动车辆控制器
5. 不间断电源(UPS)
6. LED 驱动电路
7. 各类高频功率转换器