类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：32nC（典型值）
　　最大功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP

STH7NA60FI 的主要特性之一是其高电压耐受能力，能够在高达 600V 的漏源电压下稳定工作，适用于高电压应用环境。其导通电阻为 1.2Ω，这在同类产品中属于较低水平，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
　　此外，该器件的栅极电荷较低（32nC），有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升系统能效。其最大漏极电流为 7A，适用于中等功率的电源转换和控制应用。
　　该 MOSFET 采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。这种封装形式也便于安装和散热片连接，适用于需要良好热管理的电路设计。
　　STH7NA60FI 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护，提高系统的稳定性和可靠性。这使得它在电机驱动、电源转换和工业控制等应用中具有很高的实用价值。
　　总的来说，STH7NA60FI 是一款性能优异的高压 N 沟道 MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制应用。其低导通电阻、高电压耐受能力和良好的热性能使其成为许多中高功率设计的理想选择。

STH7NA60FI 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。其高电压耐受能力和较低的导通电阻使其适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统等场合。
　　在电机控制领域，该器件可用于驱动直流电机和步进电机，提供高效的功率控制和可靠的运行性能。在工业自动化和控制系统中，STH7NA60FI 可用于功率开关和负载管理。
　　此外，该 MOSFET 也可用于 LED 照明系统、太阳能逆变器和电能管理系统等应用，提供高效、稳定的功率转换和控制。其良好的热性能和高可靠性也使其适用于汽车电子和工业电源等苛刻环境。

STP7NK60Z, STP8NK60Z, FQA7N60C, IRFBC20