您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MM1W180

MM1W180 发布时间 时间:2025/6/3 14:22:03 查看 阅读:17

MM1W180是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。
  MM1W180属于N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),其主要特点在于高耐压性能以及快速的开关速度,适合在高频条件下工作。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:4A
  脉冲漏极电流:15A
  栅源电压范围:-20V 至 +20V
  导通电阻:3.2Ω
  总功耗:90W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 高耐压设计,适用于高达600V的工作环境。
  2. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关性能,能够适应高频应用需求。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 可靠性高,支持长时间连续工作。
  6. TO-220标准封装,便于安装和散热设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的逆变器或斩波器。
  3. DC-DC转换器中的同步整流电路。
  4. 电池保护电路中的电子开关。
  5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
  6. 照明系统中的调光和调压控制单元。

替代型号

IRF840, STP12NF06, K1208

MM1W180推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MM1W180资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载