MM1W180是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。
MM1W180属于N沟道增强型场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),其主要特点在于高耐压性能以及快速的开关速度,适合在高频条件下工作。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:4A
脉冲漏极电流:15A
栅源电压范围:-20V 至 +20V
导通电阻:3.2Ω
总功耗:90W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压设计,适用于高达600V的工作环境。
2. 低导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能,能够适应高频应用需求。
4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 可靠性高,支持长时间连续工作。
6. TO-220标准封装,便于安装和散热设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的逆变器或斩波器。
3. DC-DC转换器中的同步整流电路。
4. 电池保护电路中的电子开关。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
6. 照明系统中的调光和调压控制单元。
IRF840, STP12NF06, K1208