时间：2025/5/19 8:36:21
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GA1210H563MXXAT31G 是一款高性能的存储芯片，主要用于大容量数据存储和读取任务。该型号属于 NAND Flash 类型，基于 3D TLC 技术架构，具有高密度、高速度以及低功耗的特点。其设计广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备、工业级存储解决方案等领域。
此款芯片支持多接口协议，包括 ONFI 和 Toggle 模式，具备强大的错误纠正能力（ECC）以保证数据可靠性。同时，它也集成了多种安全功能，如端到端数据保护和加密技术，确保数据传输的安全性。
类型：NAND Flash
工艺：1TB
接口：ONFI 4.0, Toggle 3.0
工作电压：2.7V - 3.6V
数据传输速率：最大533MT/s
擦写寿命：约3000次
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
封装形式：BGA
I/O接口电压：1.8V
GA1210H563MXXAT31G 提供了卓越的数据存储性能，采用先进的 3D TLC 技术，相比传统平面 NAND 芯片显著提高了存储密度并降低了单位成本。
其支持高速接口协议，能够实现更快的数据读写速度，适合需要快速响应的应用场景。
芯片内置了强大的 ECC 引擎，可有效检测和纠正位错误，从而提升数据的可靠性。
此外，这款芯片还具备较低的工作功耗，在待机模式下进一步优化了能源效率，非常适合对功耗敏感的设计。
在安全性方面，该芯片支持 AES 加密算法，并提供硬件级别的数据保护措施，保障用户数据的私密性和完整性。
它还拥有宽泛的工作温度范围，能够在恶劣环境下保持稳定的运行表现。
GA1210H563MXXAT31G 广泛用于消费电子领域中的高性能存储产品，例如笔记本电脑和台式机用 SSD、移动存储设备等。
在企业级市场中，该芯片被集成到服务器和数据中心使用的存储阵列中，提供可靠的大容量数据存储解决方案。
此外，它也适用于工业自动化设备、医疗仪器、车载系统以及其他需要长时间稳定运行的嵌入式系统中。
GA1210H563MXXAT31F
GA1210H563MXXBT31G
