时间：2025/9/6 18:32:56
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3SK62是一款由日本东芝公司（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，常用于高频开关和功率放大电路中。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种电源管理和放大器应用。由于其良好的导通特性和高耐压能力，3SK62在许多模拟和数字电路中都有广泛应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏-源电压（VDS）：150V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.65Ω
最大功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
3SK62具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低在高电流应用中的功率损耗，提高效率。
该MOSFET的漏-源电压（VDS）最大可达150V，适合需要高耐压能力的电路设计。
其最大漏极电流为5A，能够满足中等功率开关和放大应用的需求。
3SK62采用TO-220封装，散热性能良好，适合在紧凑的PCB布局中使用。
该器件的栅-源电压范围为±20V，具有良好的驱动兼容性，可以与多种控制电路配合使用。
此外，3SK62的工作温度范围较宽，可在恶劣的环境条件下稳定工作。
3SK62广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机控制电路中。
它也可用于音频放大器、功率放大电路以及各种高频开关应用。
此外，由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，该MOSFET还可用于逆变器、LED驱动器和电池充电器等电源管理系统中。
在工业自动化和消费电子产品中，3SK62常被用作功率开关元件，实现高效的能量控制。
2SK1058, 2SK2313, IRF540, IRFZ44N
