时间：2025/8/6 8:08:17
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IXTH16P60P是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的功率MOSFET晶体管，专为高电压、高电流应用设计。该器件采用先进的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于各种工业和消费类电子设备。IXTH16P60P采用TO-247封装形式，便于安装和散热。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
最大漏-源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：50nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：600V
IXTH16P60P具备一系列优异的电气和热性能，适用于高性能功率转换应用。该MOSFET采用先进的沟槽式结构，提供了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了效率。其高击穿电压（600V）使其适用于高电压输入的电源系统，如AC/DC转换器、DC/DC变换器和电机驱动器。
该器件的栅极电荷（Qg）仅为50nC，支持快速开关操作，从而降低了开关损耗，提高了系统效率。此外，IXTH16P60P具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适用于需要高可靠性的工业应用。
IXTH16P60P采用TO-247封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。该封装形式也广泛应用于工业级功率器件中，具有较高的机械强度和耐热能力。
该MOSFET在设计上优化了短路耐受能力，使其在负载突变或异常情况下仍能保持安全运行，提高了系统的鲁棒性和可靠性。这使其适用于需要高可靠性和稳定性的应用，如UPS系统、太阳能逆变器和电机控制电路。
IXTH16P60P广泛应用于需要高电压、高电流处理能力的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC整流器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和太阳能逆变器等。此外，该器件也适用于LED照明驱动器、电池充电器和高功率LED背光系统等应用。
由于其高效率和低导通损耗特性，IXTH16P60P特别适用于高频开关电源和高功率密度转换器，如用于服务器电源、电信设备和工业控制系统的功率模块。在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机，提供高效的功率输出和精确的控制性能。
在新能源领域，IXTH16P60P可用于太阳能逆变器的DC/AC转换部分，实现高效的能量转换和稳定的输出波形。同时，它也可用于储能系统的功率管理模块，提高能源利用效率。
IXTH16P60CF; IXTH16N60C3; IXFN16N60P
