GCQ1555C1H2R9BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统性能。其封装形式紧凑,适合用于空间受限的应用场景。
型号:GCQ1555C1H2R9BB01D
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):1.8mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=8ns, toff=12ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263
GCQ1555C1H2R9BB01D具有非常低的导通电阻(仅1.8mΩ),可以有效减少传导损耗,从而提高整体系统的效率。
该器件支持高达30A的连续漏极电流,并能在高达175℃的结温下正常工作,确保在极端条件下的稳定性。
其快速开关能力使得它非常适合高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。
同时,由于采用了优化的封装设计,器件散热性能优越,进一步提升了可靠性。
此外,内置的ESD保护功能增强了抗静电能力,提高了产品在现场应用中的耐用性。
GCQ1555C1H2R9BB01D广泛应用于各种高功率密度的电力电子设备中,包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- 逆变器和不间断电源(UPS)
- 电动工具和家用电器中的电机驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率控制
由于其出色的电气特性和热性能,这款MOSFET特别适用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
GCQ1555C1H2R9BA01D, IRFZ44N, FDP5580L