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GCQ1555C1H2R9BB01D 发布时间 时间:2025/6/23 14:24:26 查看 阅读:18

GCQ1555C1H2R9BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统性能。其封装形式紧凑,适合用于空间受限的应用场景。

参数

型号:GCQ1555C1H2R9BB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=8ns, toff=12ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

GCQ1555C1H2R9BB01D具有非常低的导通电阻(仅1.8mΩ),可以有效减少传导损耗,从而提高整体系统的效率。
  该器件支持高达30A的连续漏极电流,并能在高达175℃的结温下正常工作,确保在极端条件下的稳定性。
  其快速开关能力使得它非常适合高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。
  同时,由于采用了优化的封装设计,器件散热性能优越,进一步提升了可靠性。
  此外,内置的ESD保护功能增强了抗静电能力,提高了产品在现场应用中的耐用性。

应用

GCQ1555C1H2R9BB01D广泛应用于各种高功率密度的电力电子设备中,包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 逆变器和不间断电源(UPS)
  - 电动工具和家用电器中的电机驱动
  - 汽车电子系统中的负载切换
  - 工业自动化设备中的功率控制
  由于其出色的电气特性和热性能,这款MOSFET特别适用于需要高效能和小尺寸解决方案的场合。

替代型号

GCQ1555C1H2R9BA01D, IRFZ44N, FDP5580L

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GCQ1555C1H2R9BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.31427卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.9 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-