时间：2025/7/12 1:05:25
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IPP052N06L3是一款由Infineon（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (D2PAK) 封装，适用于各种开关应用，包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电源管理等。它具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
这款MOSFET的设计重点在于优化其动态特性和热性能，从而使其在高频开关环境中表现出色。此外，IPP052N06L3还具有出色的雪崩能力和较低的栅极电荷，有助于简化电路设计并提高系统的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：12nC（典型值）
输入电容：1030pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-252 (D2PAK)
IPP052N06L3具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 较低的栅极电荷和输出电荷，确保快速开关性能。
3. 高温操作能力，支持最高结温达175°C，适合严苛环境的应用。
4. 内置雪崩保护功能，提升器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
这些特点使IPP052N06L3成为高效能功率转换和控制应用的理想选择。
IPP052N06L3广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电机驱动器，特别是小型直流电机或步进电机控制。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
5. 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、充电器以及LED驱动器。
凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装形式，IPP052N06L3能够在众多应用场景中提供可靠且高效的性能表现。
IPP052N06L3G, IPP052N06LS3
