类型：同步整流控制器
　　封装形式：SOT-23-6L
　　工作电压范围：6.5V ~ 20V
　　静态电流：≤1.2mA
　　最大驱动电压：18V
　　栅极驱动能力：N沟道MOSFET驱动
　　关断阈值电压：典型-0.2V
　　开启阈值电压：典型0.35V
　　延迟时间：开启延迟约40ns，关断延迟约60ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　结温范围：-40°C ~ +150°C
　　保护功能：过温保护、欠压锁定（UVLO）
　　应用场景：反激式开关电源同步整流

LV4137的核心特性之一是其智能自适应开通与关断控制机制。该芯片通过检测同步整流MOSFET的漏源极电压（VDS），精确判断电感电流的流向与过零点，从而实现快速且准确的MOSFET开关时序控制。当副边电流开始上升时，芯片检测到VDS下降至设定的开启阈值（典型0.35V），立即开启驱动信号，使MOSFET导通，取代传统二极管进行整流，大幅降低导通损耗。而在电流下降接近零点时，芯片检测到VDS上升至关断阈值（典型-0.2V），迅速关断MOSFET，防止反向电流流入，避免能量回灌和效率下降。这种基于VDS检测的控制方式无需外部电流检测电阻或复杂的隔离反馈信号，简化了电路设计，提高了系统的可靠性和集成度。
　　另一个关键特性是其宽模式兼容性。LV4137能够在DCM、QR和CCM三种主流反激工作模式下稳定运行。在CCM模式下，由于存在电感电流反向阶段，芯片必须具备快速关断能力以防止反向导通。LV4137通过优化的关断延迟控制和负电压检测机制，确保在CCM模式下仍能及时关断MOSFET，避免体二极管导通带来的损耗。同时，芯片内部集成了动态延迟补偿技术，可根据不同的工作频率和寄生参数自动调整驱动时序，提升全负载范围内的效率表现。
　　在可靠性方面，LV4137内置多重保护机制。例如，欠压锁定（UVLO）功能确保芯片在供电电压未达到稳定工作范围前不输出驱动信号，防止MOSFET误动作；过温保护（OTP）则在芯片结温超过安全限值时自动关闭输出，待温度恢复后重启，保障系统安全。此外，芯片采用高压CMOS工艺制造，具有较强的抗噪声干扰能力，能够在高频开关环境中稳定工作。其SOT-23-6L小尺寸封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适用于高密度电源设计。

LV4137广泛应用于各类中小功率AC-DC开关电源中，作为副边同步整流控制器提升系统效率。典型应用包括手机、平板、笔记本电脑等消费类电子设备的USB充电器和电源适配器，尤其是在追求高能效和小型化的快充设计中，LV4137能够帮助实现更高的功率密度和更低的温升。此外，该芯片也适用于智能家居设备、物联网终端、路由器、机顶盒等家用电器的开放框架电源模块，在满足六级能效标准的同时降低系统功耗和发热。
　　在LED照明电源领域，LV4137可用于恒压或恒流输出的LED驱动电源，特别是在中低功率段（如5W~65W）的应用中表现出色。通过替代传统二极管整流，不仅可以提升整机效率，还能减少散热需求，延长灯具寿命。由于其支持多种反激控制模式，LV4137可与各种主控芯片（如准谐振控制器、固定频率PWM控制器）配合使用，构建高性能、低成本的电源解决方案。
　　工业类电源产品也是LV4137的重要应用方向，例如工业传感器、PLC模块、通信设备电源等对可靠性和效率有较高要求的场合。其宽温工作范围和内置保护功能使其在恶劣环境下仍能稳定运行。此外，由于无需辅助绕组供电，LV4137特别适合用于简化变压器设计，降低生产成本，尤其适用于标准化、大批量生产的电源产品。

APSR1815H
　　INN3366C
　　SG6105