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GA1210H563KXXAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:58:29 查看 阅读:9

GA1210H563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统效率并降低功耗。
  这款功率MOSFET支持高频开关操作,适用于各种工业和消费类电子产品中的功率管理方案。其卓越的热性能和可靠性使得它在高电流和高电压环境下表现出色。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):56A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):360W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:D2PAK

特性

GA1210H563KXXAR31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场景。
  3. 强大的雪崩能力和坚固的设计,提供更高的系统可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  5. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  6. 内置ESD保护功能,增强抗静电能力。
  7. 支持大电流操作,适用于多种高功率应用环境。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关管。
  2. 工业电机驱动系统中的功率级元件。
  3. DC-DC转换器中作为同步整流或高压侧开关。
  4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
  5. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品,例如笔记本电脑适配器、电视电源等。

替代型号

GA1210H563KXXBR31G
  IRFP260N
  FDP18N120
  STW15NM120

GA1210H563KXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-