时间：2025/5/30 17:58:29
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GA1210H563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统效率并降低功耗。
这款功率MOSFET支持高频开关操作，适用于各种工业和消费类电子产品中的功率管理方案。其卓越的热性能和可靠性使得它在高电流和高电压环境下表现出色。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：56A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：360W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK
GA1210H563KXXAR31G具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场景。
3. 强大的雪崩能力和坚固的设计，提供更高的系统可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力。
7. 支持大电流操作，适用于多种高功率应用环境。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的主开关管。
2. 工业电机驱动系统中的功率级元件。
3. DC-DC转换器中作为同步整流或高压侧开关。
4. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备。
5. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品，例如笔记本电脑适配器、电视电源等。
GA1210H563KXXBR31G
IRFP260N
FDP18N120
STW15NM120
