类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：300 V
　　最大漏极电流（ID）：6 A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5 Ω
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

STC6NF30V（6N30V）具有多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其漏极电压为300V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压开关应用。其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）约为1.5Ω，降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的最大漏极电流为6A，在中等功率应用中表现出良好的电流处理能力。
　　STC6NF30V采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。该封装也便于安装在散热片上，进一步提升其热管理能力。该MOSFET还具有良好的开关特性，能够实现快速开通和关断，减少开关损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供一定的保护，提高系统的可靠性。
　　在制造工艺方面，STC6NF30V采用了STMicroelectronics先进的MOSFET技术，确保了器件在高温和高电压下的稳定性和耐用性。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件，如工业控制、汽车电子和电源适配器等应用领域。

STC6NF30V（6N30V）广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流电路，用于高效地控制电能转换。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现电机的正反转和调速控制。此外，它还可用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，提高电池使用效率和安全性。
　　在照明系统中，STC6NF30V可用于LED驱动电源，实现高效率的恒流控制。在消费电子产品中，该MOSFET可用于电源适配器、充电器和逆变器等设备，提供稳定可靠的功率控制。工业自动化设备中，它可用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和工业变频器等设备，支持高效稳定的电能管理。
　　此外，该MOSFET还可用于新能源领域，如太阳能逆变器、风力发电变流器以及电动汽车的充电控制模块。由于其高耐压和良好的热性能，STC6NF30V在这些高要求的应用中表现出色，能够提供稳定的功率开关性能。

STP6NF30、STP6NF30FP、FQP6N30、IRF630、2SK2545