时间：2025/5/12 13:12:11
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GA1210H393KBXAR31G 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效率和低功耗的开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于工业、通信和消费电子领域的电源管理解决方案。
这款 MOSFET 具有增强型设计，可确保在高频开关条件下保持稳定性能，并具备出色的热特性和电气特性。
类型：N-Channel MOSFET
电压 - 漏源 (Vds)：1200V
电流 - 连续漏极 (Id)：14A
功耗：175W
导通电阻 (Rds(on))：0.65Ω
栅极电荷 (Qg)：85nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55°C to 150°C
GA1210H393KBXAR31G 提供了卓越的开关性能和低损耗表现，其主要特点如下：
- 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
- 高耐压能力，适合高压应用环境。
- 快速开关速度，减少了开关损耗并提升了整体效率。
- 强大的电流承载能力，适用于高功率场景。
- 稳定的工作性能，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
- 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该器件广泛应用于多种领域中的高效能开关电路，包括但不限于以下方面：
- 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
- 电机驱动器中的逆变器模块。
- 工业自动化设备中的负载控制。
- 太阳能逆变器中的关键功率转换组件。
- 不间断电源（UPS）系统中的能量管理部分。
- 各类充电器和适配器中的主开关或同步整流器。
IRFP460,
STP14NK120,
FDP12N120,
IXFN14N120T2
