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GA1210H393KBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/12 0:12:23 查看 阅读:6

GA1210H393KBAAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于通信系统中的射频信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高增益和低失真的信号放大功能。
  这款芯片主要针对无线通信设备设计,适用于基站、中继器以及其他射频应用场合。它具有出色的线性度和效率,能够满足现代通信系统对性能和功耗的要求。

参数

型号:GA1210H393KBAAT31G
  工作频率范围:800 MHz 至 2.7 GHz
  增益:25 dB
  输出功率(P1dB):42 dBm
  饱和输出功率:46 dBm
  效率:35%(典型值)
  供电电压:28 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:QFN-16

特性

GA1210H393KBAAT31G 具备以下主要特性:
  1. 高频段覆盖范围广,适合多种无线通信标准。
  2. 输出功率大且效率高,适用于需要高功率放大的场景。
  3. 内置保护电路,提高芯片在过载或不正常工作条件下的可靠性。
  4. 小型化封装,易于集成到紧凑型设计中。
  5. 提供优异的线性度,减少信号失真。
  6. 功耗较低,在保证性能的同时优化了能耗表现。
  这些特性使 GA1210H393KBAAT31G 成为许多射频系统的理想选择。

应用

GA1210H393KBAAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 基站放大器模块,用于增强信号传输距离和质量。
  2. 中继器设备,用于扩展无线网络覆盖范围。
  3. 点对点微波通信链路,实现远距离高速数据传输。
  4. 卫星通信地面站,处理上行链路信号放大。
  5. 测试与测量设备,支持高精度射频信号生成和分析。
  6. 工业、科学和医疗(ISM)频段应用,如无线传感器网络等。
  其强大的性能使其成为众多高要求射频应用的核心组件。

替代型号

GA1210H392KBAAT31G, GA1210H394KBAAT31G

GA1210H393KBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.039 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-