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GA1210H224JBXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:53:57 查看 阅读:7

GA1210H224JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换和控制的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能。其封装形式和电气特性使得它在高频应用中表现出色。

参数

型号:GA1210H224JBXAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):22mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):28W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210H224JBXAR31G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 优化的栅极电荷设计,减少开关损耗。
  4. 出色的热稳定性,能够在极端温度范围内保持性能。
  5. 高度可靠的封装设计,具备良好的机械强度和电气连接性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特性使得 GA1210H224JBXAR31G 成为各种高效率功率转换应用的理想选择。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
  2. 电机驱动电路,用于工业自动化和家用电器。
  3. 逆变器系统,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 电池管理系统(BMS),提供高效的充电和放电控制。
  5. 各类负载切换和保护电路。
  凭借其卓越的性能和可靠性,GA1210H224JBXAR31G 在许多高要求领域都得到了广泛应用。

替代型号

IRFZ44N
  FDP157N
  STP10NK60Z

GA1210H224JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.22 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-