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GA1210H154JXXAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:50:36 查看 阅读:7

GA1210H154JXXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该芯片具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  其封装形式为行业标准型,适合大规模自动化生产,同时具有良好的电气隔离特性和抗干扰能力,适用于多种复杂电磁环境下的应用需求。

参数

类型:功率 MOSFET
  工作电压:650V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:15mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关速度:超快
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210H154JXXAR31G 的主要特点是低导通电阻和高效率表现,其导通电阻仅为 15mΩ,能够在大电流条件下减少功耗并提升系统效率。
  此外,该器件拥有极低的栅极电荷(38nC),使得其开关速度更快,动态损耗更低。结合高达 650V 的额定电压,这款功率 MOSFET 非常适合高压、高频应用场景。
  在热管理方面,该芯片采用了优化的封装设计,增强了散热性能,使其能够稳定运行在高温环境中。综合来看,GA1210H154JXXAR31G 具备高可靠性、长寿命以及卓越的电气性能。

应用

GA1210H154JXXAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及适配器设计
  2. 电机驱动与控制电路
  3. DC-DC 转换器和逆变器
  4. 太阳能逆变系统中的功率转换模块
  5. 工业自动化设备中的功率级控制
  6. 电动汽车充电桩及车载充电机
  凭借其优异的性能,该器件成为上述应用中理想的功率半导体选择。

替代型号

IRFP260N
  FDP18N65
  STP16NM65WF

GA1210H154JXXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-