时间：2025/8/2 8:23:09
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SQD50P06-15L_GE3是一款由Microsemi（现为Littelfuse）生产的功率MOSFET模块，专为高可靠性和高效率的应用设计。该模块采用双N沟道增强型MOSFET结构，适合用于电源转换、电机控制、不间断电源（UPS）和工业自动化系统等高功率应用场景。其封装设计有助于散热，确保在高负载条件下稳定运行。
类型：功率MOSFET模块
通道数：2（双N沟道）
最大漏极电流（ID）：50A
最大漏-源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（最大）
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C至+175°C
安装类型：通孔
SQD50P06-15L_GE3具有极低的导通电阻，确保在高电流条件下最小的功率损耗，提高系统效率。
该模块的双N沟道MOSFET结构使其能够在高频率下工作，适用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器等应用。
其高耐压能力（60V）和50A的最大漏极电流使其适用于高功率需求的工业设备。
此外，SQD50P06-15L_GE3的工作温度范围广泛（-55°C至+175°C），适应各种严苛环境条件，提高了器件的可靠性和使用寿命。
该模块还具有良好的热管理和封装设计，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。
SQD50P06-15L_GE3广泛应用于电源管理系统、工业自动化控制、电机驱动器、UPS系统、电信基础设施以及高功率DC-DC转换器等场景。
此外，该模块也可用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关元件。
在汽车电子领域，SQD50P06-15L_GE3可用于车载充电器和电动车辆的功率管理模块中，提供高效的电力转换能力。
由于其高可靠性和良好的热性能，该模块也适用于航空航天和军工设备中的电源管理单元。
SiC MOSFET模块、IRFP4468PbF、IXFN50N60P、FDP50N60TM
