类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：80A
　　最大漏源电压：150V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散：300W

IXTQ80N15T 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的导通电阻在室温下仅为 0.022Ω，即使在高温环境下也能保持相对稳定。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力。IXTQ80N15T 的最大漏极电流为 80A，适用于高功率密度设计，如直流电源转换器、电机驱动器和 UPS 系统。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和热阻性能，能够有效散热，避免因过热而损坏。
　　IXTQ80N15T 还具备较高的抗雪崩能力，能够在高能脉冲条件下保持稳定运行。这种特性使其适用于需要频繁开关操作和承受高电压冲击的应用场景，如工业电机控制和电源管理系统。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，其封装形式为 TO-247，便于安装和散热设计，适用于各种高功率应用。

IXTQ80N15T 主要应用于高功率电子系统中，如直流-直流转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在电源管理领域中表现出色，能够有效提高系统效率并减少热量产生。
　　在电机控制应用中，IXTQ80N15T 可用于 H 桥电路或 PWM 控制电路，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，在电源转换器设计中，该 MOSFET 常用于升压（Boost）或降压（Buck）转换器，提供高效能的电压转换能力。
　　由于其良好的热稳定性和抗雪崩能力，IXTQ80N15T 也适用于一些需要高可靠性的应用，如太阳能逆变器、电池管理系统和电动汽车充电系统。在这些应用中，MOSFET 需要在高温和高电压环境下长时间稳定运行，而 IXTQ80N15T 的设计正好满足这些要求。

IXTQ80N15TA2, IXTQ80N15T2, IXTP80N15T, STP80NF15, FDP80N15