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CL32B684MPHNNNE 发布时间 时间:2025/7/7 14:52:29 查看 阅读:18

CL32B684MPHNNNE 是一款高性能的存储芯片,属于 Cypress 公司推出的 F-RAM(铁电随机存取存储器)系列。F-RAM 结合了 SRAM 的高速度和闪存的非易失性特点,能够在断电后保存数据。该型号支持快速写入、低功耗运行以及高耐用性,适用于需要频繁数据记录的应用场景。

参数

容量:512K x 8 bits (总计 4Mbit)
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  接口类型:SPI
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)
  数据保持时间:超过 10 年
  擦写次数:超过 10^12 次

特性

CL32B684MPHNNNE 提供卓越的性能和可靠性。
  1. 非易失性存储:即使在断电情况下,数据也不会丢失。
  2. 极高的耐用性:支持超过一万亿次的擦写周期,非常适合需要频繁更新数据的工业应用。
  3. 超低功耗:在读写操作时具有极低的能耗,适合电池供电设备。
  4. 快速写入能力:无需等待数据刷新即可完成写入操作。
  5. 小型化封装:采用 WLCSP 封装技术,能够节省 PCB 空间,特别适合对体积敏感的设计。
  6. 工作温度范围广:适应从低温到高温的多种环境条件。

应用

CL32B684MPHNNNE 广泛应用于需要高可靠性和低功耗存储解决方案的领域。
  1. 工业自动化:如数据日志记录、配置存储和状态监控。
  2. 医疗设备:用于保存关键设置和患者信息。
  3. 汽车电子:支持车载信息娱乐系统和安全系统的数据存储。
  4. 物联网 (IoT) 设备:为智能传感器和边缘计算节点提供可靠的非易失性存储。
  5. 计量仪表:如智能电表和水表的数据存储与记录。
  6. 可穿戴设备:由于其低功耗和小型封装,非常适合健康追踪器和其他便携式设备。

替代型号

CY15B104Q, MB85RC256V, FM25L16B

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