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GA1210H154JBXAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:22:07 查看 阅读:15

GA1210H154JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关速度等特性。它通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及其他需要高效能量转换的场景。

参数

型号:GA1210H154JBXAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压Vds:120V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:36A
  导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:175W
  结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1210H154JBXAR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频工作环境,减少磁性元件体积。
  3. 强大的电流承载能力,能够满足高功率密度设计需求。
  4. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 紧凑型封装设计,便于集成到各种紧凑型电子设备中。
  6. 提供全面的静电防护功能,增强器件的可靠性。

应用

GA1210H154JBXAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制,包括工业自动化和家用电器中的无刷直流电机驱动。
  3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
  4. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)、制动系统及照明系统。
  5. 高效能源转换应用,例如 UPS 不间断电源和服务器电源解决方案。

替代型号

GA1210H154JBXAR32G, IRF840, FQP17N12

GA1210H154JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-