GA1210H154JBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和快速开关速度等特性。它通常用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动以及其他需要高效能量转换的场景。
型号:GA1210H154JBXAR31G
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压Vds:120V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:36A
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:175W
结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
GA1210H154JBXAR31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频工作环境,减少磁性元件体积。
3. 强大的电流承载能力,能够满足高功率密度设计需求。
4. 优秀的热稳定性,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 紧凑型封装设计,便于集成到各种紧凑型电子设备中。
6. 提供全面的静电防护功能,增强器件的可靠性。
GA1210H154JBXAR31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制,包括工业自动化和家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)、制动系统及照明系统。
5. 高效能源转换应用,例如 UPS 不间断电源和服务器电源解决方案。
GA1210H154JBXAR32G, IRF840, FQP17N12