时间：2025/6/22 8:27:13
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IPT210N25NFD 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装。该器件专为高效率开关应用设计，具有低导通电阻和良好的开关性能，适用于工业、消费电子以及汽车领域中的多种电源管理场景。
这款 MOSFET 的耐压能力高达 250V，能够承受较高的电压波动，同时具备较低的导通电阻以减少功率损耗。它适合于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及其他需要高效能量转换的电路。
最大漏源极电压：250V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：90mΩ
栅极电荷：38nC
开关速度：快速恢复
封装形式：TO-247
IPT210N25NFD 的主要特性包括：
- 高耐压能力，可承受高达 250V 的漏源极电压，适用于高压环境下的操作。
- 极低的导通电阻 (Rds(on))，在标准工作条件下其典型值为 90mΩ，有助于降低导通时的功耗。
- 快速开关能力，得益于优化的栅极电荷设计，从而减少开关损耗并提高整体效率。
- 热稳定性强，即使在高温或恶劣环境下也能保持稳定的性能。
- 采用 TO-247 外露金属片封装，有助于提升散热性能，使设备能够在更高功率密度下运行。
- 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
IPT210N25NFD 广泛应用于以下领域：
- 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关管或同步整流元件。
- 电机驱动电路，尤其是用于控制步进电机、直流无刷电机等大功率负载。
- 工业自动化设备中的功率调节模块。
- 汽车电子系统，例如电动车窗、座椅调节以及电动助力转向系统的功率管理部分。
- 各类负载切换电路，提供高效的功率传输和保护功能。
IPT210N25NF
IPT210N25N
IRFP260N
