GA1210H124MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于数据存储和管理。该芯片采用先进的工艺技术制造,具有高密度、低功耗和高速度的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和其他需要大容量存储的应用场景中。
这款存储芯片支持多种接口标准,并且具备良好的兼容性和稳定性,能够满足不同应用场景的需求。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle Mode 2.0
封装:BGA
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MT/s
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写次数:3000次
GA1210H124MBXAT31G 具有以下主要特性:
1. 高密度存储能力,适合大规模数据存储需求。
2. 支持高速接口 Toggle Mode 2.0,确保数据传输的高效性。
3. 采用 BGA 封装形式,节省空间并提高系统集成度。
4. 超低功耗设计,适用于对功耗要求严格的便携式设备。
5. 工作温度范围宽广,能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 提供较高的擦写次数,延长了产品的使用寿命。
7. 内置 ECC(错误校正码)功能,有效提升数据可靠性。
GA1210H124MBXAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储。
2. 固态硬盘(SSD)作为主存储介质。
3. 数字电视、机顶盒和网络路由器等消费类电子产品。
4. 工业自动化控制系统的数据记录与存储。
5. 车载信息系统以及导航设备的数据存储解决方案。
6. 医疗设备中的关键数据保存。
7. 安防监控系统中的视频数据存储。
GA1210H128MBXAT31G
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