您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1210H124MBXAT31G

GA1210H124MBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/26 20:48:12 查看 阅读:9

GA1210H124MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于数据存储和管理。该芯片采用先进的工艺技术制造,具有高密度、低功耗和高速度的特点。它广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和其他需要大容量存储的应用场景中。
  这款存储芯片支持多种接口标准,并且具备良好的兼容性和稳定性,能够满足不同应用场景的需求。

参数

类型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle Mode 2.0
  封装:BGA
  工作电压:1.8V
  数据传输速率:400MT/s
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  擦写次数:3000次

特性

GA1210H124MBXAT31G 具有以下主要特性:
  1. 高密度存储能力,适合大规模数据存储需求。
  2. 支持高速接口 Toggle Mode 2.0,确保数据传输的高效性。
  3. 采用 BGA 封装形式,节省空间并提高系统集成度。
  4. 超低功耗设计,适用于对功耗要求严格的便携式设备。
  5. 工作温度范围宽广,能够在恶劣环境下稳定运行。
  6. 提供较高的擦写次数,延长了产品的使用寿命。
  7. 内置 ECC(错误校正码)功能,有效提升数据可靠性。

应用

GA1210H124MBXAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 智能手机和平板电脑等移动设备中的内部存储。
  2. 固态硬盘(SSD)作为主存储介质。
  3. 数字电视、机顶盒和网络路由器等消费类电子产品。
  4. 工业自动化控制系统的数据记录与存储。
  5. 车载信息系统以及导航设备的数据存储解决方案。
  6. 医疗设备中的关键数据保存。
  7. 安防监控系统中的视频数据存储。

替代型号

GA1210H128MBXAT31G
  GA1210H256MBXAT31G

GA1210H124MBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.12 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-