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GA1210H123KBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:21:35 查看 阅读:11

GA1210H123KBXAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  这款器件通常被用作同步整流器中的开关元件或负载开关,其设计注重高可靠性和稳定性,能够在恶劣的工作环境下保持正常运行。

参数

类型:功率 MOSFET
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总栅极电荷(Qg):48nC
  输入电容(Ciss):1390pF
  反向恢复时间(trr):65ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

GA1210H123KBXAT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),可有效减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷 Qg,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强在异常条件下的耐受性。
  4. 宽广的工作温度范围,适应多种复杂环境。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 内置 ESD 保护电路,提高芯片的鲁棒性。
  这些特性使 GA1210H123KBXAT31G 成为高频功率转换应用的理想选择。

应用

GA1210H123KBXAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器,包括降压、升压及正负转换拓扑。
  3. 电机驱动和负载开关。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 工业控制设备中的功率管理模块。
  6. 通信电源和服务器电源系统。
  由于其优异的性能表现,这款功率 MOSFET 在追求高效率和小尺寸的设计中备受青睐。

替代型号

GA1210H123KBXAT31GR, IRFZ44N, FDP5570

GA1210H123KBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-