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GA1210H123JXXAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 19:58:57 查看 阅读:9

GA1210H123JXXAT31G 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备出色的电气特性和可靠性,能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,有助于提高整体系统的效率并降低发热问题。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  耐压(Vdss):120V
  导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  连续漏极电流(Id):40A
  栅极电荷(Qg):75nC
  输入电容(Ciss):2800pF
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Top):-55℃至+175℃

特性

GA1210H123JXXAT31G 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量承受能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅。
  6. 优异的热性能,确保长时间稳定运行。
  这些特性使该器件非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子设备。

应用

该芯片可应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)的设计,例如适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电压调节和电源管理。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
  由于其卓越的性能和稳定性,GA1210H123JXXAT31G 成为许多工程师在相关项目中的首选解决方案。

替代型号

GA1210H12>IRFZ44N
  FDP5560
  STP40NF12W
  IXYS40N120T2

GA1210H123JXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-