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GA1210Y223KBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:51:00 查看 阅读:11

GA1210Y223KBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及优秀的热性能等特点,能够满足工业、消费电子及汽车电子等领域的严格要求。

参数

型号:GA1210Y223KBBAR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  输入电容:2800pF
  最大功耗:250W
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y223KBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高开关速度设计,减少开关损耗,适合高频应用。
  3. 具备出色的热稳定性和散热性能,确保在高温环境下仍能可靠运行。
  4. 提供过流保护和短路保护功能,增强器件的安全性。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 封装坚固耐用,适用于恶劣的工作环境。

应用

GA1210Y223KBBAR31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和逆变器控制。
  3. 汽车电子中的负载开关和继电器替代。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 充电器和适配器设计。

替代型号

IRFP2907, STP50NF06, FDP55N06L

GA1210Y223KBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-