IRLHS6276 时间：2025/5/9 18:02:00 阅读：5

IRLHS6276是由英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，该器件采用了Trench技术制造，具有极低的导通电阻和高开关速度，广泛适用于需要高效能、低功耗的电源管理应用中。其封装形式为TO-252(DPAK)，支持表面贴装，非常适合自动化生产和紧凑型设计。
　　IRLHS6276在消费电子、工业控制以及通信设备等领域有广泛应用，特别是在降压转换器、负载开关、电机驱动等场景中表现出色。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：81A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：140W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
　　栅极电荷(Qg)：10nC
　　反向恢复时间(trr)：15ns

特性

IRLHS6276是一款高性能MOSFET，具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力，适合大功率应用场合。
　　3. 快速开关性能，减少开关损耗，适用于高频电路。
　　4. 宽泛的工作温度范围，确保器件在恶劣环境下的可靠性。
　　5. Trench工艺带来的更小的栅极电荷Qg，进一步优化了动态性能。
　　6. 紧凑的DPAK封装形式，便于PCB布局与散热设计。
　　这些特性共同决定了IRLHS6276在各种功率转换和控制应用中的优异表现。

应用

IRLHS6276凭借其卓越的性能，在以下领域得到广泛应用：
　　1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 消费类电子产品的负载开关，如笔记本电脑适配器、平板电脑等。
　　4. 工业设备中的电机驱动和电磁阀控制。
　　5. 通信基站中的功率调节模块。
　　6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率级组件。
　　总之，任何需要高效、可靠功率开关的地方都可以考虑使用IRLHS6276。