SSD40N10-30D 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET具有高耐压和大电流能力,适用于多种功率管理与转换应用。该器件采用TO-220封装形式,便于在高功率密度设计中使用。SSD40N10-30D 的设计旨在提供高效的开关性能和低导通损耗,使其成为电源转换器、DC-DC变换器和马达控制等应用的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):100V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
工作温度:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
导通电阻(Rds(on)):30mΩ
最大功耗(Ptot):150W
SSD40N10-30D 具备出色的电气性能和热稳定性。其导通电阻仅为30mΩ,有效降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。这种低Rds(on)特性在高电流应用中尤为重要,能够显著减少热量产生,提高器件的可靠性。
该MOSFET的漏极-源极电压为100V,能够承受较高的电压应力,适用于中高功率应用。连续漏极电流可达40A,满足大电流负载的需求。栅极-源极电压范围为±20V,允许灵活的栅极驱动设计,同时确保器件的安全操作。
此外,SSD40N10-30D 采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合在高功率密度环境中使用。其工作温度范围为-55°C至175°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行,确保长期可靠性。
该器件的最大功耗为150W,进一步增强了其在高功率应用中的适用性。通过优化的制造工艺和设计,SSD40N10-30D 提供了卓越的开关性能,减少了开关损耗,提高了系统的能效。
SSD40N10-30D 常用于各种功率电子设备中,包括电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、马达驱动器以及工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其非常适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。此外,该MOSFET也可用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制模块。
STP40NF10, IRF4905, FDP40N10