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GA1210A822KBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 8:58:27 查看 阅读:12

GA1210A822KBAAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高线性度和低失真的特点。其设计优化了效率与性能之间的平衡,适用于多种通信标准,包括WCDMA、LTE等。工作频率范围通常在1.8GHz到2.2GHz之间,适合现代移动通信设备的需求。
  此外,GA1210A822KBAAR31G 还集成了匹配网络和偏置电路,从而简化了系统设计并降低了对外部元件的需求。这种集成特性有助于减少PCB面积和生产成本。

参数

型号:GA1210A822KBAAR31G
  工艺:GaAs HBT
  工作频率范围:1.8 GHz - 2.2 GHz
  输出功率:30 dBm (典型值)
  增益:15 dB (典型值)
  效率:45% (典型值)
  电源电压:5V
  静态电流:120 mA (典型值)
  封装形式:SMT 封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210A822KBAAR31G 具有以下显著特性:
  1. 高效率:通过优化设计,能够在高频段实现较高的能量转换效率,延长电池寿命。
  2. 高线性度:特别适合需要高动态范围的应用场景,例如多载波通信系统。
  3. 内置匹配网络:减少了外部元件的数量,提高了稳定性和一致性。
  4. 宽带支持:覆盖多个通信频段,适应不同区域和标准的要求。
  5. 低热阻封装:有效提升了散热性能,保证长期运行可靠性。
  6. 易于使用:集成偏置电路,简化了外围电路设计,缩短开发周期。

应用

该芯片主要应用于无线通信领域,具体包括:
  1. 智能手机和其他便携式终端设备中的射频功率放大模块。
  2. 基站小型化解决方案,如微基站和皮基站。
  3. Wi-Fi路由器及物联网设备中的射频前端。
  4. 车载通信系统,用于提供更强的信号覆盖能力。
  5. 工业无线数据传输系统,确保高效且稳定的通信链路。

替代型号

GA1210A822KBAAR32G, GA1210A822KBAAR33G

GA1210A822KBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容8200 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-