ISC073N12LM6 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,提供低导通电阻和高效率的开关性能。其主要应用包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。
ISC073N12LM6 的设计优化了功率转换应用中的性能,具有出色的热特性和可靠性。同时,它支持表面贴装封装,方便自动化生产和小型化设计。
额定电压:12V
连续漏极电流:35A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:45nC
最大功耗:15W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-LEADLESS (DFN8)
绝缘耐压:150V
ISC073N12LM6 提供了卓越的电气性能,适合高频和高效能的应用场景。以下为具体特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷特性,确保快速切换和减少开关损耗。
3. 宽广的工作温度范围,使其在极端环境下依然保持可靠运行。
4. 小型化的无引脚封装设计,能够有效节省电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准,并具备良好的抗静电能力。
这些特点使 ISC073N12LM6 成为许多高要求应用的理想选择。
ISC073N12LM6 广泛应用于需要高效功率控制的领域,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)及 DC-DC 转换器。
2. 电动工具与电机驱动电路。
3. 高效负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. 工业设备中的功率调节模块。
6. 消费类电子产品中的快充解决方案。
由于其高效率和紧凑设计,ISC073N12LM6 在各种便携式设备和高性能系统中均表现出色。
ISC073N12LMP6, IRFZ44N, FDP5570N