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ISC073N12LM6 发布时间 时间:2025/6/3 10:45:33 查看 阅读:5

ISC073N12LM6 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,提供低导通电阻和高效率的开关性能。其主要应用包括电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。
  ISC073N12LM6 的设计优化了功率转换应用中的性能,具有出色的热特性和可靠性。同时,它支持表面贴装封装,方便自动化生产和小型化设计。

参数

额定电压:12V
  连续漏极电流:35A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:45nC
  最大功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-LEADLESS (DFN8)
  绝缘耐压:150V

特性

ISC073N12LM6 提供了卓越的电气性能,适合高频和高效能的应用场景。以下为具体特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 优化的栅极电荷特性,确保快速切换和减少开关损耗。
  3. 宽广的工作温度范围,使其在极端环境下依然保持可靠运行。
  4. 小型化的无引脚封装设计,能够有效节省电路板空间。
  5. 符合 RoHS 标准,并具备良好的抗静电能力。
  这些特点使 ISC073N12LM6 成为许多高要求应用的理想选择。

应用

ISC073N12LM6 广泛应用于需要高效功率控制的领域,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)及 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具与电机驱动电路。
  3. 高效负载开关和保护电路。
  4. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)。
  5. 工业设备中的功率调节模块。
  6. 消费类电子产品中的快充解决方案。
  由于其高效率和紧凑设计,ISC073N12LM6 在各种便携式设备和高性能系统中均表现出色。

替代型号

ISC073N12LMP6, IRFZ44N, FDP5570N

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