时间：2025/5/26 20:47:12
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GA1210A821KBLAR31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，主要应用于功率转换、电机驱动以及电源管理等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有较低的导通电阻和优秀的开关性能，能够在高频应用中提供高效的能量转换。
这款 MOSFET 支持增强型操作（Enhancement-mode），意味着其在栅极电压高于阈值电压时导通，并且具备出色的热稳定性和可靠性，适用于工业级和消费级电子产品。
型号：GA1210A821KBLAR31G
类型：N-Channel MOSFET
漏源极耐压(Vdss)：120V
连续漏极电流(Id)：82A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：95nC (最大值)
输入电容(Ciss)：4760pF
总功耗(Ptot)：240W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3L
GA1210A821KBLAR31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提升效率。
2. 高额定电流能力 (82A)，能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关速度，支持高频运行，适合 DC-DC 转换器等应用。
4. 稳定的电气性能，即使在极端温度条件下也能保持可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计，满足现代绿色电子产品的生产需求。
6. 强大的散热性能，得益于 TO-247-3L 封装形式，适合高功率密度应用环境。
这些特性使得该器件非常适合用于太阳能逆变器、电动车控制器以及工业电源模块等领域。
GA1210A821KBLAR31G 的典型应用场景包括但不限于：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主功率开关。
2. 电动车辆中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 太阳能逆变器系统中的功率调节单元。
5. LED 驱动器和高亮度照明系统的功率管理部分。
6. 各类需要高效功率转换和开关控制的场景，例如不间断电源 (UPS) 和通信电源设备。
GA1210A821KBLAR31G,
IRFP260N,
STP120NF12Z,
FDP17N12,
IXFN140N12T2
