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GA1210A821FXLAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 18:03:59 查看 阅读:7

GA1210A821FXLAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种需要高效能和高可靠性的电子电路。
  该芯片属于N沟道增强型MOSFET,能够承受较高的电压和电流,并且支持高频工作条件。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装封装,适合自动化生产和紧凑型设计需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2250pF
  最大功耗:95W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-263

特性

GA1210A821FXLAT31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,减少开关损耗并支持高频应用。
  3. 强大的雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下仍能正常工作。
  4. 优异的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时便于散热管理。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。
  7. 内置ESD保护机制,提升抗静电能力,保障器件可靠性。

应用

该芯片广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 汽车电子系统中的负载控制和电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的功率调节和保护。
  5. 通信电源模块中的功率级元件。
  6. 各种消费类电子产品中的高效功率管理解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5580
  AON6808

GA1210A821FXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容820 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-