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AUIRL3705ZSTRL 发布时间 时间:2025/5/13 17:54:16 查看 阅读:3

AUIRL3705ZSTRL 是一款基于沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用 STMicroelectronics 的先进制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它专为汽车级应用设计,符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的工作环境。
  AUIRL3705ZSTRL 的封装形式为 PowerFLAT 5x6 封装(DPAK),有助于提高散热效率并节省电路板空间。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、LED 驱动以及各类汽车电子系统中的功率管理。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷:8nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:PowerFLAT 5x6

特性

AUIRL3705ZSTRL 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能电源转换应用。
  3. 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车环境中具备高度可靠性。
  4. 提供强大的过流能力和耐热性能,适应高功率应用场景。
  5. 小型化封装设计,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 支持高侧或低侧开关配置,灵活性强。
  7. 热稳定性出色,可在极端温度条件下可靠运行。

应用

AUIRL3705ZSTRL 广泛应用于汽车电子和其他工业领域,主要用途包括:
  1. 汽车直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
  2. 汽车电机控制与驱动电路。
  3. LED 照明驱动器,特别是车用 LED 系统。
  4. 各类负载开关,用于保护下游电路。
  5. 功率因数校正(PFC)电路。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  7. 电池管理系统(BMS)中的功率分配组件。

替代型号

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AUIRL3705ZSTRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 52A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2880pF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)