AUIRL3705ZSTRL 是一款基于沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用 STMicroelectronics 的先进制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它专为汽车级应用设计,符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的工作环境。
AUIRL3705ZSTRL 的封装形式为 PowerFLAT 5x6 封装(DPAK),有助于提高散热效率并节省电路板空间。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、LED 驱动以及各类汽车电子系统中的功率管理。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:42A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:8nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:PowerFLAT 5x6
AUIRL3705ZSTRL 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效能电源转换应用。
3. 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车环境中具备高度可靠性。
4. 提供强大的过流能力和耐热性能,适应高功率应用场景。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑型设计中使用。
6. 支持高侧或低侧开关配置,灵活性强。
7. 热稳定性出色,可在极端温度条件下可靠运行。
AUIRL3705ZSTRL 广泛应用于汽车电子和其他工业领域,主要用途包括:
1. 汽车直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
2. 汽车电机控制与驱动电路。
3. LED 照明驱动器,特别是车用 LED 系统。
4. 各类负载开关,用于保护下游电路。
5. 功率因数校正(PFC)电路。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 电池管理系统(BMS)中的功率分配组件。
IRL3705ZSTRL