时间：2025/6/20 18:33:37
阅读：3
GA1210A821FXCAT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频、高功率密度应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具备低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于电源管理、通信系统、工业驱动以及新能源等领域。
额定电压：650V
额定电流：12A
导通电阻：82mΩ
栅极电反向恢复时间：小于20ns
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
GA1210A821FXCAT31G 采用了先进的 GaN 技术，具有显著的性能优势。
1. 高击穿电压：能够承受高达650V的工作电压，适合高压应用环境。
2. 超低导通电阻：仅82mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关能力：具备超低的栅极电荷和反向恢复时间，适合高频应用场合。
4. 热稳定性强：可在最高结温+150℃下可靠运行，满足严苛的工业需求。
5. 小尺寸封装：使用标准 TO-247 封装，便于集成到现有电路设计中。
该芯片适用于多种高性能场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、服务器电源等。
2. 电机驱动：支持高效工业电机控制。
3. 无线充电：用于高功率无线充电设备。
4. 光伏逆变器：实现高效的能量转换。
5. 通信基站电源：提供稳定且高效的供电解决方案。
GAN063-650WSA
GAN1210HS-G0B
IRGB4062DPBF
