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CM600HU-24F 发布时间 时间:2025/9/29 20:26:51 查看 阅读:6

CM600HU-24F是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高性能IGBT模块,属于第六代U系列IGBT产品。该模块采用先进的沟槽栅技术和场截止结构设计,具有低导通损耗和开关损耗的双重优势,适用于高效率、高功率密度的电力电子变换系统。CM600HU-24F为三相全桥拓扑结构,内部集成了6个IGBT芯片与6个反并联快速恢复二极管,构成标准的六单元(Six-Pack)配置,适合用于工业驱动、风力发电、不间断电源(UPS)、大功率变频器等应用场合。该模块额定电压为1200V,最大连续电流可达600A,具备出色的热稳定性和长期可靠性。模块封装形式为大功率螺栓型,便于安装散热器,并支持直接水冷或风冷散热方式。此外,该模块内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块内部温度,提升系统的安全保护能力。CM600HU-24F在设计上优化了内部引线布局和绝缘性能,增强了抗电磁干扰能力和耐压能力,能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。

参数

型号:CM600HU-24F
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:六单元(Three-phase Bridge)
  集电极-发射极额定电压(Vces):1200V
  集电极额定电流(Ic @ Tc=80°C):600A
  最大结温(Tj):150°C
  栅极-发射极电压范围(Vge):-20V 至 +25V
  饱和导通电压(Vce(sat) @ Ic=300A, Vge=15V):约1.95V
  开关频率典型值:≤ 20kHz
  内置NTC温度传感器:有
  隔离电压(Viso):≥ 2500VAC / 分钟
  安装方式:螺栓式固定
  冷却方式:底板强制风冷或水冷

特性

CM600HU-24F的最显著特性之一是其基于富士第六代IGBT芯片技术,采用了沟槽栅+场截止(Trench & Field Stop)结构,这一设计大幅降低了IGBT的导通压降和拖尾电流,从而有效减小了导通损耗和关断损耗。该模块在高负载条件下仍能保持优异的能量转换效率,尤其适用于需要长时间满载运行的大功率应用场景。其优化的芯片布局和内部互连工艺减少了寄生电感,提升了开关过程中的电压稳定性,降低了过冲和振荡风险。
  另一个关键特性是模块内部集成的快速恢复二极管(FRD),这些二极管具有软恢复特性和低反向恢复电荷(Qrr),能够减少换流过程中的电磁干扰(EMI)和尖峰电压,提高系统整体可靠性。同时,该二极管的正向压降较低,有助于降低无功回馈路径上的功率损耗。
  CM600HU-24F具备良好的热循环耐久性和机械强度,采用陶瓷基板(Al2O3)和活性金属钎焊(AMB)工艺,提高了热导率和结合强度,延长了模块在高温交变环境下的使用寿命。模块底部为平坦铜底板,利于与散热器紧密接触,实现高效热传导。此外,模块提供双端子输出设计(主端子和辅助发射极端子),有助于改善门极驱动回路的抗干扰能力,确保驱动信号的准确性和稳定性。
  安全性方面,模块配备负温度系数(NTC)热敏电阻,可反馈模块内部最热点的温度信息,供控制系统进行过温保护、降额运行或故障停机处理,防止因过热导致的永久性损坏。整体封装符合国际安全标准,具备高绝缘强度和爬电距离,适用于工业级严苛电气环境。

应用

CM600HU-24F广泛应用于各类中高功率电力电子设备中,尤其是在需要高可靠性和高能效的工业自动化与能源转换系统中表现突出。其典型应用包括大功率交流变频器,用于控制电动机的速度和转矩,在冶金、矿山、化工、电梯等行业中发挥重要作用。由于其高电流承载能力和优良的动态响应特性,该模块也常被用于伺服驱动系统和大型泵阀控制系统中。
  在可再生能源领域,CM600HU-24F被广泛应用于风力发电机组的变流器系统,作为网侧或机侧逆变单元的核心开关器件,负责将发电机产生的可变频率交流电转换为电网兼容的恒频交流电。其低损耗特性有助于提升风电系统的整体发电效率,并降低运行温升。
  此外,该模块还适用于不间断电源(UPS)系统,特别是在大型数据中心、医院、通信基站等对供电连续性要求极高的场所。在UPS的逆变电路中,CM600HU-24F能够实现市电与电池之间的无缝切换,并提供高质量的正弦波输出。
  其他应用还包括电焊机电源、感应加热设备、轨道交通牵引系统以及高压直流输电(HVDC)中的辅助变流装置。得益于其成熟的封装技术和稳定的供货渠道,CM600HU-24F在全球范围内拥有广泛的用户基础和技术支持体系。

替代型号

2MBI600U4B-120
  SE600GB121E_Bx
  FF600R12KE4
  CM600HA-24F

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CM600HU-24F参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型沟道
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,600A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600A
  • 电流 - 集电极截止(最大)2mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)230nF @ 10V
  • 功率 - 最大2400W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块