GA1210A561KXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
其封装形式为 TO-252 (DPAK),能够有效提升散热效率并支持高电流负载。该芯片适用于工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
型号:GA1210A561KXAAT31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):47A
导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ
栅极电荷(Qg):85nC
总功耗(Ptot):20W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:TO-252 (DPAK)
GA1210A561KXAAT31G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在 4.0mΩ 的水平下可显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
2. 高电流承载能力,连续漏极电流高达 47A,适合大功率应用。
3. 快速开关性能,栅极电荷仅为 85nC,有助于减少开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应各种严苛环境。
5. 小巧而高效的 DPAK 封装设计,提升了 PCB 布局灵活性和散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. 稳定性和可靠性经过严格测试,确保长期使用无故障。
GA1210A561KXAAT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies)中作为主功率开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压电路。
3. 电机驱动和控制电路,如步进电机、伺服电机等。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费电子产品中的高效能电源管理单元。
其卓越的性能和可靠性使其成为众多高功率密度应用场景的理想选择。
GA1210A561KXAAT31G,
IRFZ44N,
FDP5570,
AON6810