时间：2025/5/28 16:44:05
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ZXMN6A25N8TA 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能功率转换的场景。它广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：6A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
总功耗：9W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
ZXMN6A25N8TA 的主要特性包括低导通电阻，从而减少了功率损耗并提升了效率；快速开关性能使得其在高频应用中表现优异；同时具备良好的热稳定性，能够适应各种恶劣的工作环境。此外，该器件还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗。
该 MOSFET 集成了保护功能，如防止过流和过温等，从而提高了系统的可靠性。其坚固的设计也使其成为许多高要求应用的理想选择。
ZXMN6A25N8TA 可用于多种领域，包括但不限于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关、电源管理模块、电池保护电路以及音频功率放大器等。由于其出色的电气特性和可靠性，它特别适合于需要高性能功率处理的应用场景。
ZXMN6A24N8TA
ZXMN6A25N6TA
