时间：2025/7/4 1:00:54
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30KP190A是一种高压、高频的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子设备中。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提高电路效率并降低能耗。
该型号基于平面栅极工艺制造，优化了开关性能和热稳定性，适合在高频率下工作，同时具备良好的雪崩耐量能力，能够在异常条件下保护电路不受损坏。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：15A
导通电阻：2.8Ω
栅极电荷：65nC
总电容：420pF
功耗：175W
结温范围：-55℃ to 150℃
30KP190A的主要特性包括：
1. 高击穿电压（900V），适用于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻（2.8Ω），可以显著减少导通损耗。
3. 快速开关速度，适合高频操作。
4. 良好的热稳定性，确保器件在高温环境下仍能可靠运行。
5. 内置雪崩保护功能，提升了器件在过载或短路情况下的可靠性。
6. 小尺寸封装设计，便于在紧凑空间内布局电路。
30KP190A主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC转换器，用于工业控制和汽车电子系统。
3. 电机驱动电路，特别适合步进电机和无刷直流电机的控制。
4. 光伏逆变器及储能系统的功率管理模块。
5. 各种高压脉冲发生器以及电力传输设备。
6. LED照明驱动电源及其他高效能电子负载应用。
30KP190, IRFP460, STP15NF90
