容量：4GB
　　封装类型：TSOP
　　电压：2.7V-3.6V
　　接口：NAND Flash接口
　　数据宽度：8位
　　工作温度：-40°C至+85°C

H27S4G8F2ETR-BC NAND闪存芯片采用SLC（单层单元）技术，每个存储单元仅存储1位数据，从而提供了较高的数据可靠性和较长的擦写寿命。该芯片的擦写周期可达到数万次，适合对数据存储可靠性要求较高的应用场景。
　　这款芯片支持高速读写操作，其随机读取和写入速度较高，能够满足对数据访问速度有一定要求的设备需求。同时，它具备较低的功耗特性，适合对功耗敏感的便携式设备使用。
　　在封装方面，H27S4G8F2ETR-BC采用TSOP（薄型小尺寸封装）技术，体积较小，便于在紧凑型设备中使用。其标准的NAND Flash接口也使得与其他主控芯片或控制器的连接更加方便。
　　此外，H27S4G8F2ETR-BC具有较宽的工作温度范围，可在-40°C至+85°C的环境下正常工作，适用于各种恶劣环境下的工业应用。

H27S4G8F2ETR-BC NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品等领域。例如，在嵌入式系统中，它可以作为主存储器用于存储操作系统、应用程序和用户数据；在工业控制设备中，该芯片可用于存储配置文件和日志数据；在通信设备中，它可以作为缓存存储器，用于提高数据传输效率；在消费电子产品中，如数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等设备，该芯片可以提供可靠的存储支持。
　　由于其较高的稳定性和耐用性，H27S4G8F2ETR-BC也常用于需要频繁写入和读取数据的应用场景，如监控设备的录像存储、车载导航系统的地图更新等。同时，其低功耗特性也使其成为电池供电设备的理想选择。

H27U1G8F2CTR-BC, H27U4G8F2CTR-BC