GA1210A561GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、高功率密度应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、电机驱动以及工业自动化等领域的复杂电路系统。
其主要功能是提供高效的电流控制能力,同时确保在高频工作条件下的稳定性与可靠性。该型号经过严格的质量检测,符合国际标准规范,可满足多种严苛环境下的使用需求。
器件类型:MOSFET
极性:N-Channel
最大漏源电压(Vds):120V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):56A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):280W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA1210A561GBAAR31G 的显著特点是其卓越的电气性能和可靠性。首先,它具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 4.5mΩ,这使得该器件能够在高电流条件下有效降低传导损耗,从而提升整体系统效率。
其次,该 MOSFET 支持高达 120V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。此外,它的快速开关特性和低栅极电荷 (Qg),有助于减少开关损耗并提高工作效率。
从热管理角度来看,该芯片采用了 TO-247-3 封装,这种封装方式不仅提供了良好的散热性能,还便于集成到各种功率模块中。最后,其宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C) 确保了其在极端环境下依然能够稳定运行。
GA1210A561GBAAR31G 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)及 DC-DC 转换器:利用其低导通电阻和高效开关能力,实现更小体积和更高效率的电源解决方案。
2. 电机驱动:适用于各类工业电机和家用电器中的无刷直流电机(BLDC)驱动器,提供精确的速度控制和强大的负载能力。
3. 工业自动化设备:如伺服控制器、机器人系统等需要高精度和大功率输出的场合。
4. 新能源汽车:用于电动汽车中的电池管理系统(BMS)、逆变器以及车载充电器等关键组件。
5. 光伏逆变器:助力太阳能发电系统的能量转换过程,提高发电效率并减少能量损失。
GA1210A561GBAAR21G, IRF540N, FDP5580