时间：2025/9/3 18:17:26
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HY628100BLLT1-55I 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用异步工作方式，主要适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该型号为55ns访问速度的版本，具有较高的稳定性和可靠性。
容量：128Kbit（16K x 8）
电压：3.3V或5V兼容
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：最低2V
输入/输出电平：TTL兼容
HY628100BLLT1-55I是一款高性能异步SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高速访问能力。其异步接口设计无需时钟同步，适用于需要灵活数据访问的场合。该芯片的访问时间仅为55纳秒，能够满足对响应时间要求较高的应用需求。支持3.3V和5V电源供电，增强了其在不同系统中的兼容性。其TSOP封装形式有助于减小PCB板空间占用，适合便携式及高密度电路设计。此外，该芯片支持数据保持模式，在低电压情况下仍可维持数据完整性，最低可降至2V。输入和输出引脚均采用TTL兼容电平，方便与各种逻辑电路接口连接。内置的地址缓冲器和数据锁存功能提高了系统的稳定性与可靠性。
HY628100BLLT1-55I广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、测试仪器、医疗设备、自动化设备等需要高速数据缓存的场景。由于其工业级温度范围和高可靠性设计，特别适用于对稳定性要求较高的工业和通信应用。
CY62148EALL1-55SC, IDT71V128SA, IS61LV128AL
