时间：2025/5/22 14:13:09
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GA1210A472GBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、电机驱动以及工业自动化等领域。
其封装形式支持高散热性能，适合大功率场景下的长期稳定运行。
型号：GA1210A472GBCAR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(VDS)：1200V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：47A
导通电阻(RDS(on))：65mΩ（典型值，在VGS=15V时）
总功耗(Ptot)：310W
结温范围(TJ)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK (TO-263)
GA1210A472GBCAR31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高耐压能力，能够承受高达 1200V 的漏源电压，增强了系统的安全性和可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，有助于减少开关噪声并改善电磁兼容性 (EMC) 性能。
5. 支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下保持稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. 电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 的电池管理系统及驱动电路。
5. 高效 LED 驱动器和负载开关。
6. 各种需要高电压、高电流处理能力的电子设备中。
IRGB1408PBF
STGW12H65ND
FDP18N120
CSS120N06L
