时间：2025/8/20 22:04:03
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BSS138DWQ 是一种N沟道增强型MOSFET，广泛应用于低电压和中等功率开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）以及快速的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：230mA
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-363
BSS138DWQ具有多项优异特性，使其在各种开关和放大电路中表现出色。其低导通电阻能够减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，适用于多种中低电压应用。该器件的封装形式SOT-363体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在2.5V至20V之间工作，使其兼容多种控制电路，如微控制器和逻辑门电路。此外，其快速的开关响应时间减少了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。
BSS138DWQ还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其封装材料符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用场景。
BSS138DWQ广泛应用于各类电子设备中，包括电源管理模块、LED驱动电路、传感器接口电路、便携式电子产品以及通信设备。其优异的性能也使其适用于负载开关、信号切换和电平转换等应用场景。
2N7002DWQ, FDN337N, 2N3904
