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GA1210A392FBAAR31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:09:28 查看 阅读:10

GA1210A392FBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能和低功耗的应用场景中。其设计采用了先进的制造工艺,具备出色的导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的整体效率。
  该型号芯片具有良好的热稳定性和可靠性,适用于各种工业级和消费级电子设备。同时,它支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和装配。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关速度:超高速
  封装形式:TO-263

特性

GA1210A392FBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下稳定运行。
  4. 优秀的热性能,能够在高温环境下保持正常工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 可靠性高,使用寿命长,适合长期运行的工业设备。
  7. 支持表面贴装技术,简化了生产流程并提高了装配效率。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC转换器
  4. LED照明驱动电路
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. 消费类电子产品中的高效能电源解决方案
  7. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护电路

替代型号

GA1210A392FBAAQ28G
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF06L

GA1210A392FBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-