电容值：1960V
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：100V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min.
　　温度系数：0 ±30 ppm/°C

ERA3VEB1960V 采用 C0G（NP0）介质材料，具有极其稳定的电气性能，几乎不受温度变化的影响。这种材料确保了在各种工作条件下电容值的稳定性，适用于高精度电路应用。
　　该电容器采用 1812 封装尺寸（约为 4.5mm x 3.2mm），适合表面贴装技术（SMT）生产工艺，能够在高温环境下正常工作，具备良好的热稳定性和机械强度。
　　ERA3VEB1960V 的额定电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电路应用。其低损耗因子和高绝缘电阻使其在射频（RF）和模拟电路中表现优异，可有效减少信号失真和噪声干扰。
　　此外，该器件具有良好的耐湿性和耐腐蚀性，适用于多种环境条件下的长期稳定运行。

ERA3VEB1960V 主要应用于需要高稳定性和高可靠性的电子设备中，例如：
　　- 通信设备中的射频滤波和振荡电路
　　- 精密测量仪器中的参考电容
　　- 工业控制系统中的模拟信号处理电路
　　- 医疗设备中的高精度信号耦合和去耦电路
　　- 汽车电子系统中的电源管理模块
　　由于其高电压耐受能力和温度稳定性，ERA3VEB1960V 也常用于航空航天和军事电子系统中。

TDK C0805C1960G100T
　　Kemet C0805CG1960G100T