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GA1210A332GXAAT31G 发布时间 时间:2025/6/29 11:03:42 查看 阅读:5

GA1210A332GXAAT31G 是一款高性能的射频放大器芯片,广泛应用于通信系统中的信号放大环节。该芯片采用先进的制造工艺,在确保高增益的同时,具备低噪声和高线性度的特点,适用于无线通信、卫星通信以及其他高频信号处理场景。
  此型号属于 GaAs(砷化镓)工艺系列,能够提供稳定的功率输出和优秀的效率表现,特别适合于需要高可靠性和高效能的应用场合。

参数

工作频率:1.5GHz 至 2.5GHz
  增益:20dB
  最大输出功率:28dBm
  电源电压:5V
  静态电流:300mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  噪声系数:2.5dB

特性

GA1210A332GXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高增益设计,能够显著提升信号强度。
  2. 低噪声系数,有效减少信号失真,保证高质量传输。
  3. 宽带操作能力,覆盖多个常用通信频段。
  4. 内置匹配网络,简化外围电路设计。
  5. 高线性度,降低互调失真,适合多载波应用场景。
  6. 小型化封装,便于集成到紧凑型设备中。
  7. 稳定的工作性能,即使在极端温度条件下也能保持良好表现。

应用

该芯片主要用于以下领域:
  1. 无线通信基站的前端模块。
  2. 微波链路中的信号增强。
  3. 卫星通信系统的地面站设备。
  4. 测试与测量仪器中的信号放大功能。
  5. 雷达系统中的发射机部分。
  6. 物联网(IoT)设备中的射频信号处理单元。

替代型号

GA1210A332GXAAT31F
  GA1210A332GXAAT31H
  GA1210A332GXAAU31G

GA1210A332GXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3300 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-