时间：2025/7/25 7:27:23
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1PMT5938/TR13 是一款由Microsemi（现为L3Harris Technologies的一部分）制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高可靠性应用，如航空航天、军事和工业控制系统。该器件封装在小型表面贴装封装中，适用于需要高效率和紧凑设计的电源管理系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4.1A
功耗(Pd)：1.4W
导通电阻(Rds(on))：0.135Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
1PMT5938/TR13具备出色的热稳定性和电气性能，适合在极端环境条件下使用。其P沟道设计简化了高边开关电路的设计，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。此外，该器件具有低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高能效。其SOT-223封装形式适用于表面贴装工艺，支持自动化生产，提高了生产效率和焊接可靠性。
该器件还具有良好的抗静电能力和过热保护特性，使其能够在高可靠性要求的应用中稳定运行。此外，1PMT5938/TR13符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保的电子设备设计中。
该MOSFET的工作温度范围宽，从-55°C到150°C，能够在极端温度条件下保持稳定性能，适合用于航空航天、军工、高端工业控制等对环境适应性要求高的场合。
1PMT5938/TR13广泛应用于航空航天电子系统、军用通信设备、工业自动化控制系统、高可靠性电源管理模块以及电池供电设备中。由于其高可靠性和紧凑封装，它特别适合用于需要高效率、高稳定性和空间受限的设计中。例如，在DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电源分配系统中，该器件能够提供出色的性能和稳定性。
此外，该器件也适用于需要快速开关和低功耗设计的系统，如嵌入式控制器、电源管理IC（PMIC）以及各种类型的便携式电子产品。其高可靠性特点使其成为关键任务系统中不可或缺的组件。
Si4435BDY, IRML2803, FDS4410A, AO4406A
