ME6206A36M3G 是一款高性能的 DDR3L SDRAM 芯片,广泛应用于需要高带宽和低功耗的消费电子、网络通信以及嵌入式系统中。该芯片具有较低的工作电压(1.35V),能够在保持性能的同时减少能耗。其主要特点包括高速数据传输能力、多级省电模式以及良好的信号完整性设计。
类型:DDR3L SDRAM
容量:4Gb (512Mb x 8)
组织结构:512M x 8
工作电压:1.35V
I/O 电压:1.35V / 1.5V
数据速率:800MT/s ~ 1600MT/s
CAS 延迟:7, 8, 9, 10
封装形式:BGA 96-ball
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
引脚间距:1.0mm
ME6206A36M3G 提供了多种关键特性和优势。
1. 低工作电压设计,从传统的 1.5V 降至 1.35V,显著降低了功耗,适用于对节能有较高要求的场景。
2. 支持高达 1600MT/s 的数据传输速率,确保快速高效的数据处理能力。
3. 多种 CAS 延迟选项,用户可以根据具体应用需求选择最适合的延迟值。
4. 封装小巧,采用 BGA 96 球封装,适合空间受限的设计环境。
5. 内置自动刷新和自刷新功能,减少了主控制器的负担,同时提高了系统的稳定性和可靠性。
6. 广泛的工作温度范围使其能够适应各种环境条件下的使用需求。
7. 符合 JEDEC 标准,与主流平台兼容性良好。
ME6206A36M3G 主要应用于以下领域:
1. 智能电视和机顶盒,提供高效的图形处理和多媒体支持。
2. 网络路由器和交换机,用于数据包缓冲和快速转发。
3. 工业控制设备,满足实时数据采集和处理的需求。
4. 医疗设备中的图像处理单元。
5. 嵌入式计算平台,例如工业 PC 和 IoT 网关。
6. 游戏机和其他高性能消费类电子产品。
由于其低功耗和高带宽的特点,ME6206A36M3G 成为众多现代电子设备的理想内存解决方案。
MT41K512M8HX-125 IT, H9TQ26AFAMDR-RP